Web25 de set. de 2024 · 目前的研究认为,降低材料的介电常数主要有两种方法:其一是降低材料自身的极性,包括降低材料中电子极化率 (electronic polarizability),离子极化率 (ionic polarizability)以及分子极化率（dipolar polarizability） [2]。 在分子极性降低的研究中,人们发现单位体积中的分子密度对降低材料的介电常数起着重要作用。 下式为分子极性与介电 … Web進入90nm工藝後，low-k電介質的開發和套用是晶片廠商面臨的難題。 由于low-k材料的抗熱性、化學性、機械延展性以及材料穩定性等問題都還沒有得到完全解決，給晶片的製造 …

High-K和Low-K电介质材料 - 百度文库

Web所谓High-K电介质材料，是一种可取代二氧化硅作为栅介质的材料。 它具备良好的绝缘属性，同时可在栅和硅底层通道之间产生较高的场效应（即高-K）。 两者都是高性能晶体管的理想属性。 High-K电介质材料要想继续发展还必须解决两个主要问题：（1）引入高介电常数材料作为栅介质后，载流子的迁移率有较大程度的降低。 高介电常数迁移率降低的理论 … Web低介电常数材料（low-K材料）是当前半导体行业研究的热门话题。 通过降低集成电路中使用的介电材料的介電係數，可以降低集成电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，降低集成电路发热等等。 低介电常数材料的研究是同高分子材料密切相关的。传统半导体使用二氧化硅作为介电材料，氧化 ... birmingham pride 2021 line up

Low-k膜、High-k膜の形成 - マイクロ・ナノデバイス

WebLow-kデバイスが微細化してくると寄生抵抗（R)、容量（C)による時間遅れを最小にするために多層配線が必要になる。デバイスの配線サイズ小さくなると下図に示すようにゲートでの時間遅れによりもRC時定数による配線遅延が問題になってくる。ゲート長が250nm以下の場合、長い配線による遅延 ... Web多孔質 Low-k材 料は,絶縁膜材料の空孔の導入量により比誘電 率2.6以 下を達成することが可能である。 しかし,空孔を 導入すると弾性率や硬さといった機械的強度は空孔量に比 例して著しく低下するため,低 誘電率化とプロセス耐性の 両立が課題である。 たとえば,従来の多孔質Low-k材 料は空孔の導入に伴 う機械強度の低下と密着性不足により,CMP耐 … Web低介電係數材料（low-K材料）是當前半導體行業研究的熱門話題。 通過降低積體電路中使用的 介電 材料的 介電係數 ，可以降低 積體電路 的 漏電電流 ，降低導線之間的電容效 … dangerous goods casa